[发明专利]半导体器件的测试结构和测试方法有效
| 申请号： | 201611234296.9 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108257941B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 任小兵;刘群 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件的测试结构，包括：第一电阻结构和第二电阻结构。第一电阻结构的第一有源区的宽度大于预设宽度值；预设宽度值为浅沟槽隔离结构台阶高度对多晶硅栅的宽度产生影响时有源区宽度的临界值；第一多晶硅栅的设计宽度与半导体器件的多晶硅栅的设计宽度相同；第二电阻结构的第二有源区的宽度小于预设宽度值；第二多晶硅栅的设计尺寸与第一多晶硅栅的设计尺寸相同。第一电阻结构和第二电阻结构按预设电路结构连接形成测试电路；第一电阻结构所在支路的总电阻和第二电阻结构所在支路的总电阻相等。上述测试结构能够监测到浅沟槽隔离结构台阶高度对有源区上的多晶硅栅的宽度的影响。还提供一种基于上述测试结构的半导体器件的测试方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的测试结构，其特征在于，包括：第一电阻结构，所述第一电阻结构包括第一有源区和设置在所述第一有源区上的第一多晶硅栅；所述第一有源区的宽度大于预设宽度值；所述预设宽度值为所述半导体器件上的浅沟槽隔离结构台阶高度对多晶硅栅的宽度产生影响时的有源区宽度的临界值；所述第一多晶硅栅的设计宽度与所述半导体器件的多晶硅栅的设计宽度相同；和第二电阻结构，所述第二电阻结构包括第二有源区和设置在所述第二有源区上的第二多晶硅栅；所述第二有源区的宽度小于所述预设宽度值；所述第二多晶硅栅的设计尺寸与所述第一多晶硅栅的设计尺寸相同；其中，所述第一电阻结构和所述第二电阻结构按预设电路结构电性连接形成测试电路；所述测试电路中的所述第一电阻结构所在支路的总电阻和所述第二电阻结构所在支路的总电阻相等。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611234296.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置及其制造方法
- 下一篇：半导体结构及其形成方法
