[发明专利]一种具有复合金属势垒层的氮化镓器件肖特基接触系统有效
| 申请号： | 201611217074.6 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106684142B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 任春江;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/47 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 吴树山 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有复合金属势垒层的氮化镓器件肖特基接触系统，该氮化镓器件的结构自下而上依次包括衬底11、GaN缓冲层12、AlGaN势垒层13；所述AlGaN势垒层13上方的一端设有源电极14和另一端设有漏电极15，还包括位于所述源电极14和漏电极15之间的AlGaN势垒层13的上方设有AlGaN/GaN HEMT栅电极16，所述AlGaN/GaN HEMT栅电极16为设有肖特基接触结构的栅电极，所述肖特基接触结构包括设有Ni金属层/Mo金属层/Ti金属层/Pt金属层/Y金属层的复合金属层。本发明的氮化镓器件肖特基栅的多层金属体系与其外延层之间有很好的热配性，能够大大提高氮化镓器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 金属 势垒层 氮化 器件 肖特基 接触 系统 | ||
【主权项】：
1.一种具有复合金属势垒层的氮化镓器件肖特基接触系统，该氮化镓器件的结构自下而上依次包括衬底(11)、GaN缓冲层(12)、AlGaN势垒层(13)；所述AlGaN势垒层(13)上方的一端设有源电极(14)和另一端设有漏电极(15)，其特征在于，还包括位于所述源电极(14)和漏电极(15)之间的AlGaN势垒层(13)的上方设有AlGaN/GaN HEMT栅电极(16)，所述AlGaN/GaN HEMT栅电极(16)为设有肖特基接触结构的栅电极，所述肖特基接触结构包括设有Ni金属层/Mo金属层/Ti金属层/Pt金属层/Y金属层的复合金属层，从所述AlGaN势垒层(13)与源电极(14)、AlGaN/GaN HEMT栅电极(16)以及漏电极(15)结合的界面处开始，自下而上依次包括Ni金属层(21)、Mo金属层(22)、Ti金属层(23)、Pt金属层(24)和Y金属层(25)；其中：所述Y金属层为Au、Al或Cu和Ti的Au/Ti复合金属层、Al/Ti复合金属层或Cu/Ti复合金属层。
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