[发明专利]半导体器件及非易失性存储器阵列

摘要

本发明的实施例提供一种半导体器件。半导体器件包含第一有源区、第二有源区和第三有源区、第一多晶硅区、第二多晶硅区、第三多晶硅区、第一掺杂区和第二掺杂区。第一有源区、第二有源区和第三有源区互相分离且平行。第一多晶硅区布置在第一有源区和第二有源区上方。第二多晶硅区布置在第一有源区和第二有源区上方。第三多晶硅区布置在第二有源区和第三有源区上方。第一掺杂区在第二有源区内且在第一多晶硅区和第二多晶硅区之间。第二掺杂区在第二有源区内且在第二多晶硅区和第三多晶硅区之间。本发明的实施例还提供了一种非易失性存储器阵列。

主权项

一种半导体器件，包括：第一有源区、第二有源区和第三有源区，彼此分离并且彼此平行布置；第一多晶硅区，布置在所述第一有源区和所述第二有源区上方；第二多晶硅区，布置在所述第一有源区和所述第二有源区上方；第三多晶硅区，布置在所述第二有源区和所述第三有源区上方；第一掺杂区，位于所述第二有源区内并且介于所述第一多晶硅区和所述第二多晶硅区之间；以及第二掺杂区，位于所述第二有源区内并且介于所述第二多晶硅区和所述第三多晶硅区之间。