[发明专利]III‑V族纳米线隧穿FET的方法及结构在审
| 申请号： | 201611150970.5 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN107039514A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 西德斯·A·克力斯南;光允;V·纳拉亚南;J·W·斯莱格特 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示III‑V族纳米线隧穿FET的方法及结构，其中，异质结隧穿场效应晶体管(tunnel field effect transistor；TFET)具有包括纳米线的第一部分的沟道区，分别包括纳米线的第二部分及第三部分的源区及漏区，以及围绕该沟道区的栅极，其中，该纳米线的该第一部分包括本征、外延III‑V族半导体。为制造该TFET，可选择性蚀刻外延下层以定义系留(悬挂)纳米线，该纳米线形成该装置的沟道区。源区及漏区可由再生长的p型及n型外延层形成。 | ||
| 搜索关键词： | iii 纳米 线隧穿 fet 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管(TFET)，包括：沟道区，包括纳米线的第一部分；源区及漏区，分别包括纳米线的第二部分及第三部分；以及栅极，围绕该沟道区，其中，该纳米线的该第一部分包括本征III‑V族半导体。
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