[发明专利]高线性度毫米波器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201611092583.0 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106711185B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 杨凌;康慨;周小伟;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高线性度毫米波器件及其制作方法，主要解决现有器件跨导的线性度差的问题。其器件自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、第二沟道区(4)、背势垒层(5)、第一沟道区(6)、插入层(7)和势垒层(8)，势垒层上刻蚀有深度至背势垒层的凹槽，凹槽的内壁和势垒层上设有增强沟道区(9)；增强沟道区上设有导电帽层(10)；导电帽层上两端设置源电极(11)和漏电极(12)；凹槽内导电帽层上刻有槽栅；槽栅内壁和导电帽层上除源电极和漏电极外的区域设有钝化层(13)；槽栅内的钝化层上设置T型栅电极(14)。本发明拓宽了跨导峰值范围，提高了跨导的线性度，可用于通讯、导航和雷达、基站系统。 | ||
| 搜索关键词： | 势垒层 导电帽 沟道区 槽栅 毫米波器件 高线性度 钝化层 漏电极 线性度 源电极 内壁 基站系统 两端设置 电极 插入层 衬底层 成核层 缓冲层 可用 刻蚀 制作 雷达 通讯 | ||
【主权项】：
1.高线性度毫米波器件，自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、第二沟道区(4)、背势垒层(5)、第一沟道区(6)、插入层(7)和势垒层(8)，其特征在于：势垒层(8)上刻蚀有深度至背势垒层(5)的凹槽，凹槽的内壁和势垒层(8)上设有氮化镓增强沟道区(9)；该氮化镓增强沟道区(9)上设有导电帽层(10)；导电帽层(10)上两端设置源电极(11)和漏电极(12)；在凹槽内导电帽层上刻有沟槽；在沟槽内壁和导电帽层上除源电极和漏电极外的区域设有钝化层(13)；在沟槽内的钝化层上设置T型栅电极(14)，形成下探式栅极结构。
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