[发明专利]竖直半导体结构有效
| 申请号： | 201611081662.1 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107302019B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | F·拉努瓦;A·安考迪诺维;V·罗多维 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及竖直半导体结构。一种二极管包括上部和下部电极以及连接至下部电极的第一和第二N型掺杂的半导体衬底部分。第一竖直晶体管和第二晶体管形成在第一部分中并且串联连接在电极之间。第一晶体管的栅极被N型掺杂并且耦合至上部电极。第二晶体管具有P沟道并且具有P型掺杂的栅极。第二传导类型的第一和第二掺杂区域位于第二部分中并且通过上覆有另一N型掺杂的栅极的衬底部分分离。第一掺杂区域耦合至第二晶体管的栅极。第二掺杂区域和另一栅极耦合至上部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 竖直 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：上部电极；下部电极；连接至所述下部电极的第一传导类型的第一半导体衬底部分和第二半导体衬底部分；形成在所述第一半导体衬底部分中的第一竖直晶体管，所述第一晶体管具有利用所述第一传导类型掺杂并且被耦合至所述上部电极的栅极；形成在所述第一半导体衬底部分中的第二竖直晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管串联连接在所述上部电极与所述下部电极之间，所述第二晶体管具有第二传导类型的沟道并且具有所述第二传导类型的掺杂的栅极；所述第二传导类型的第一掺杂区域，位于所述第二半导体衬底部分中，所述第一掺杂区域耦合至所述第二晶体管的栅极；所述第二传导类型的第二掺杂区域，位于所述第二半导体衬底部分中并且通过所述第一传导类型的第三掺杂区域与所述第一掺杂区域分离，所述第二掺杂区域耦合至所述上部电极；以及在所述第三掺杂区域之上的所述第一传导类型的另一掺杂的栅极，所述另一掺杂的栅极耦合至所述上部电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(图尔)公司，未经意法半导体(图尔)公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611081662.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其制造方法
- 下一篇：半导体装置以及半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
