[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201611080652.6 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106981511B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 中西翔;藤井裕二 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 权太白;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明提供一种半导体装置及其制造方法，用于提高具备RC‑IGBT的半导体装置的性能。在半导体基板(SB)的背面(Sb)和背面电极(CE)之间形成AlNiSi层(ML)(包含铝(Al)、镍(Ni)以及硅(Si)的层)。由此，能够在构成内置二极管的阴极区域的N |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体基板，具有第一主面和与所述第一主面相反一侧的第二主面；第一电极，形成于所述第一主面侧；以及第二电极，形成于所述第二主面侧，所述半导体装置的特征在于，具有：第一导电型的第一半导体层，在所述第二主面露出并形成于所述半导体基板的第一区域；第二导电型的第二半导体层，在所述第二主面露出并形成于所述半导体基板的与所述第一区域不同的第二区域，所述第二导电型与所述第一导电型不同；接合层，以与所述第一半导体层和所述第二半导体层相接的方式形成，包含铝、硅以及对可见光的波长的反射率比铝低的第一金属；以及所述第二电极，以与所述接合层相接的方式形成。
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