[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。当在衬底上形成具有2种不同宽度的侧壁时，防止由于侧壁形成用的绝缘膜被埋入栅电极间而导致的半导体器件的可靠性降低。在低耐压的MISFETQ2的栅电极G2、和包括控制栅电极CG及存储器栅电极MG的图案的各自的侧壁，隔着氮化硅膜NT3而形成侧壁状的氧化硅膜OX4，之后除去栅电极G2的横向上的氧化硅膜OX4，接着在半导体衬底SB上形成氧化硅膜OX5，进行回蚀刻。由此，在栅电极G2的横向上，形成由氮化硅膜NT3及氧化硅膜OX5形成的侧壁SW1，在上述图案的横向上，形成由氮化硅膜NT3、氧化硅膜OX4及OX5形成的侧壁SW2。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括如下工序：(a)工序：准备半导体衬底，(b)工序：在第一区域的上述半导体衬底上，隔着第一绝缘膜形成多个第一栅电极，在第二区域的上述半导体衬底上，隔着第二绝缘膜形成第二栅电极，(c)工序：在上述半导体衬底上依次形成覆盖多个上述第一栅电极、上述第二栅电极的第三绝缘膜及第四绝缘膜，(d)工序：利用回蚀刻将上述第四绝缘膜的一部分除去，由此使上述第三绝缘膜的上表面从上述第四绝缘膜露出，而保留分别覆盖多个上述第一栅电极、上述第二栅电极各自的侧壁的上述第四绝缘膜，(e)工序：在上述(d)工序之后，将分别覆盖多个上述第一栅电极各自的上述侧壁的上述第四绝缘膜除去，(f)工序：上述(e)工序之后，在上述半导体衬底上形成覆盖多个上述第一栅电极、上述第二栅电极和上述第二区域的上述第四绝缘膜的第五绝缘膜，(g)工序：利用回蚀刻将上述第五绝缘膜及上述第三绝缘膜的各自的一部分除去，由此使上述半导体衬底从上述第三绝缘膜露出，由此形成包括上述第一区域的上述第三绝缘膜及上述第五绝缘膜的第一侧壁、包括上述第二区域的上述第三绝缘膜、上述第四绝缘膜及上述第五绝缘膜的第二侧壁，(h)工序：在上述第一区域的上述半导体衬底的主表面上，通过以上述第一侧壁为掩膜进行离子注入从而形成第一源漏区域，由此形成包括上述第一源漏区域及上述第一栅电极的第一晶体管，(i)工序：在上述第二区域的上述半导体衬底的上述主表面上，通过以上述第二侧壁为掩膜进行离子注入从而形成第二源漏区域，由此形成包括上述第二源漏区域及上述第二栅电极的第二晶体管，其中，上述第一晶体管通过比上述第二晶体管的驱动电压低的电压驱动。