[发明专利]一种全包围栅极鳍形半导体器件的制备方法

摘要

本发明提供一种全包围栅极鳍形半导体器件的制备方法，其包括提供制备好鳍形半导体基体的半导体衬底，所述鳍形半导体基体包含源区和漏区以及位于两者之间的鳍形沟道区；在半导体基体上覆盖一层氧化物层；化学机械磨平氧化物层至鳍形沟道区基体露出；从上部去除部分鳍形沟道区基体，形成鳍形沟道；对鳍形沟道进行掺杂外延生长；去除部分氧化物层至非掺杂鳍形沟道区基体露出部分；蚀刻露出部分的非掺杂鳍形沟道区基体，形成悬空于衬底上方的沟道结构；在沟道外围形成保护层。本发明利用鳍形沟道结构中掺杂层和非掺杂层的湿法蚀刻速度的差异，蚀刻非掺杂鳍形沟道区基体，形成悬空于衬底上方的沟道结构，这种全包围栅极结构有效的抑制了短沟道效应，漏场和穿通等问题，提高了器件性能。

主权项

一种全包围栅极鳍形半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供一制备好鳍形半导体基体的半导体衬底，所述鳍形半导体基体包含源区和漏区以及位于所述源区和漏区之间的鳍形沟道区；步骤S2：在所述半导体基体上覆盖一层氧化物层；步骤S3：化学机械磨平所述氧化物层至鳍形沟道区基体露出；步骤S4：从上部去除部分所述的鳍形沟道区基体，形成鳍形沟道；步骤S5：对所述鳍形沟道进行掺杂外延生长；步骤S6：去除部分氧化物层至非掺杂鳍形沟道区基体露出部分；步骤S7：蚀刻所述露出部分的非掺杂鳍形沟道区基体，形成悬空于衬底上方的沟道结构；步骤S8：在所述沟道结构外围形成保护层。