[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件，包括半导体基板，所述半导体基板在第一表面上包括第一沟槽以及连结到每个第一沟槽的第二沟槽。所述半导体基板包括：p型端部层，其从第一表面延伸到比每个第一沟槽在第二表面侧的端部更靠近半导体基板的第二表面的位置，并且在第一表面的平面视图中包括每个第一沟槽的纵向端部；第一p型层，其设置在相邻的第一沟槽之间的区域中，并且接触设在第一表面上的第一电极；n型阻挡层；第二p型层。第二沟槽使p型端部层与第一p型层及第二p型层分离。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基板，所述半导体基板在第一表面上包括多个第一沟槽以及连结到每个第一沟槽的第二沟槽；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖每个第一沟槽的内表面；第一沟槽电极，所述第一沟槽电极分别设在各第一沟槽中，并且通过第一绝缘层而与半导体基板绝缘；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖第二沟槽的内表面；第一电极，所述第一电极设置在第一表面上；和第二电极，所述第二电极设置在半导体基板的第二表面上，其中，所述半导体基板包括：p型端部层，所述p型端部层从第一表面延伸到比每个第一沟槽在半导体基板的厚度方向上在第二表面侧的端部更靠近第二表面的位置，并且包括第一表面的平面视图中的每个第一沟槽的纵向端部；第一p型层，所述第一p型层隔着第二沟槽设置在p型端部层的相对侧，所述第一p型层设置在保持于相邻的第一沟槽之间的沟槽间区域中并且接触第一电极；n型阻挡层，所述n型阻挡层设置在沟槽间区域中，并且被设置为比第一p型层更靠近第二表面；第二p型层，所述第二p型层设置在沟槽间区域中，所述第二p型层被设置为比n型阻挡层更靠近第二表面，并且所述第二p型层通过n型阻挡层而与第一p型层分离；n型漂移层，所述n型漂移层被设置为比第二p型层更靠近第二表面；和n型阴极层，所述n型阴极层被设置为比n型漂移层更靠近第二表面，并且接触n型漂移层和第二电极，并且所述第二沟槽使p型端部层与第一p型层及第二p型层分离。