[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其课题在于改善半导体器件的性能。鳍片(FA)包括：区域(FA1)；以及区域(FA2)，其相对于区域(FA1)配置于X轴方向的正向侧。控制栅电极(CG)将区域(FA1)的上表面、区域(FA1)的Y轴方向的正向侧的侧面(SS1)、以及区域(FA1)的Y轴方向的负向侧的侧面(SS2)覆盖，存储器栅电极(MG)将区域(FA2)的上表面、区域(FA2)的Y轴方向的正向侧的侧面(SS3)、以及区域(FA2)的Y轴方向的负向侧的侧面(SS4)覆盖。区域(FA2)的上表面低于区域(FA1)的上表面，侧面(SS3)在Y轴方向上相对于侧面(SS1)配置于Y轴方向的负向侧。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体衬底；突出部，其是所述半导体衬底的一部分，从所述半导体衬底的主面突出且在俯视时沿第一方向延伸；第一栅电极，其形成在所述突出部上，且在俯视时沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；第一栅极绝缘膜，其形成在所述第一栅电极与所述突出部之间；第二栅电极，其形成在所述突出部上，在俯视时沿所述第二方向延伸，且与所述第一栅电极相邻；以及第二栅极绝缘膜，其形成在所述第二栅电极与所述突出部之间、以及所述第二栅电极与所述第一栅电极之间，且在内部具有电荷蓄积部，所述突出部包括：第一区域；以及第二区域，其在俯视时相对于所述第一区域配置于所述第一方向的第一侧，所述第一栅电极将所述第一区域的第一上表面、所述第一区域的所述第二方向的第二侧的第一侧面、以及所述第一区域的所述第二方向的与所述第二侧相反侧的第二侧面覆盖，所述第二栅电极将所述第二区域的第二上表面、所述第二区域的所述第二侧的第三侧面、以及所述第二区域的与所述第二侧相反侧的第四侧面覆盖，所述第二上表面比所述第一上表面低，所述第三侧面在所述第二方向上相对于所述第一侧面配置于所述第二侧的相反侧。