[发明专利]二极管阳极结构、纵向二极管以及横向二极管有效
| 申请号： | 201610944884.5 | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106298977B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 邓光敏;裴轶 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 孟金喆;胡彬<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 215123江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种二极管阳极结构、纵向二极管以及横向二极管，涉及半导体技术领域，其中，所述二极管阳极结构包括：半导体层；至少两个第一肖特基金属层，位于所述半导体层上，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第一肖特基势垒高度；至少一个第二肖特基金属层，位于所述半导体层上，且位于所述第一肖特基金属层之间，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第二肖特基势垒高度。采用上述技术方案，在阳极区域与半导体形成两种势垒高度，在二极管反向关断时，第一肖特基势垒高度可以降低反向漏电，在二极管正向开启时，第二肖特基势垒高度可以降低正向开启电压，采用上述二极管阳极结构，可以保证提高二极管使用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 阳极 结构 纵向 以及 横向 | ||
【主权项】：
1.一种二极管阳极结构，其特征在于，包括：/n半导体层；/n至少两个第一肖特基金属层，位于所述半导体层上，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第一肖特基势垒高度；/n至少一个第二肖特基金属层，位于所述半导体层上，且位于所述第一肖特基金属层之间，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第二肖特基势垒高度；/n所述第一肖特基势垒高度大于所述第二肖特基势垒高度；/n所述半导体层上形成有与所述第一肖特基金属层对应的凹槽结构，所述第一肖特基金属层的底部位于所述凹槽结构中。/n
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