[发明专利]SONOS器件结构及形成该器件的方法在审
| 申请号： | 201610924432.0 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN106298963A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张强;黄冠群;丁航晨 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SONOS器件结构及形成该器件的方法。根据本发明的SONOS器件结构包括：硅衬底、形成在硅衬底中的源极和漏极、形成在硅衬底上的多层结构的栅极；其中所述栅极从下至上包括：隧穿氧化硅层、氮化硅层、阻挡氧化硅层和多晶硅控制栅，所述隧穿氧化硅层与硅衬底相接触；其中，在多晶硅控制栅侧壁上形成有第一栅极侧墙，在第一栅极侧墙以及隧穿氧化硅层、氮化硅层、阻挡氧化硅层的侧壁上形成有第二栅极侧墙。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 器件 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种SONOS器件结构，其特征在于包括：硅衬底、形成在硅衬底中的源极和漏极、形成在硅衬底上的多层结构的栅极；其中所述栅极从下至上包括：隧穿氧化硅层、氮化硅层、阻挡氧化硅层和多晶硅控制栅，所述隧穿氧化硅层与硅衬底相接触；其中，在多晶硅控制栅侧壁上形成有第一栅极侧墙，在第一栅极侧墙以及隧穿氧化硅层、氮化硅层、阻挡氧化硅层的侧壁上形成有第二栅极侧墙。
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