[发明专利]半导体器件及制造方法

摘要

提出了一种半导体器件及制造方法。该半导体器件包含制作于导电性再布线层上的导电凸点/凸起。该半导体器件还可以包含制作于半导体衬底上的钝化层中的第一型浅沟槽，在这种情况下，该导电性再布线层制作于该第一型浅沟槽中。在制作有多个导电性再布线层时，该集成电路芯片还可以包含制作于相邻的导电性再布线层之间的绝缘层。这时，可以针对每个导电性再布线层制作或不制作该第一型浅沟槽。本公开提出的半导体器件具有较高的可靠性、工作稳定性及品质。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，至少有一个电气端子制作于该半导体衬底上；钝化层，覆盖该半导体衬底；第一型浅沟槽，制作于该钝化层的上层部分中，具有设定的沟槽深度，并且将该钝化层的对应于该上层部分的下层部分暴露；多个通孔，制作于该钝化层的该下层部分中，并将该至少一个电气端子的多个部分暴露；导电性再布线层，制作于该第一型浅沟槽中，填充该多个通孔并覆盖该钝化层的该下层部分的至少一部分；以及至少一个导电凸点/凸起，制作于该导电性再布线层的选定部分上，并且通过该多个通孔耦接至该至少一个电气端子。