[发明专利]一种氮化鎵基异质结耐击穿场效应晶体管结构在审
| 申请号： | 201610907440.4 | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107958931A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 黄升晖 | 申请（专利权）人： | 南京励盛半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210008 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化鎵基异质结耐击穿场效应晶体管结构，包括以下特征宽禁带材料(如势垒层AlGaN)与禁带较窄的材料GaN形成I型异质结，外延层表面有源极，栅极和漏极，其中至少有一P型区域被放置在源区内周围附近，这P型区域从半导体外延层表面延续至氮化鎵表面之下，深度大于0.1微米，这P型区域表面上至少有一部分是有一层禁带宽少于1.5电子伏的P型半导体层，源极金属与这禁带宽少于1.5电子伏P型层的接触部分为金属/P型区的欧姆接触或接近欧姆接触，与氮化鎵帽层或是AlGaN层或是氮化鎵的接触为欧姆接触，源极金属透过这P型区域能使器件有效地接走在击穿时所产生的电子空穴对中的空穴从而使得器件可以安全地被使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 鎵基异质结耐 击穿 场效应 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种氮化鎵基异质结耐击穿场效应晶体管结构，包括以下特征：1.至少有一层宽禁带势垒层AlGaN与禁带较窄的材料GaN形成I型异质结，二维电子气(2DEG)位于异质结界面的GaN一侧，宽禁带势垒层AlGaN的厚度为10nm至50nm，较窄禁带材料GaN为非故意掺杂的，其厚度为1um至5um；2.外延层表面有源极，栅极和漏极，栅极结构可以是平面型栅极或沟槽型栅极，源极和栅极之上可以有场板；3.其中至少有一P型区域被放置在源区内周围附近；4.这放置在源区内周围附近的P型区域表面上至少有一部分是有一层禁带宽少于1.5电子伏的P型半导体层。
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