[发明专利]一种高密度芯片重布线封装结构及其制作方法

摘要

本发明涉及一种高密度芯片重布线封装结构及其制作方法，所述结构包括金属线路层（4），所述金属线路层（4）正面设置有凸点（1），所述凸点（1）上贴装有芯片（2），所述芯片（2）的pad与凸点相连接，所述凸点（1）和芯片（2）外围填充有绝缘材料（3），所述金属线路层（4）背面设置有引脚线路层（5），所述金属线路层（4）和引脚线路层（5）外围填充有绝缘材料（3），所述引脚线路层（5）背面露出绝缘材料（3），所述引脚线路层（5）露出绝缘材料（3）的植球区域设置有金属球（6）。本发明一种高密度芯片重布线封装结构及其制作方法，它实现高性能的电性连接与良好的可靠性保证，形成高密度重布线封装工艺。

主权项

1.一种高密度芯片重布线封装结构的制作方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：步骤一、取一金属载板；步骤二、金属载板表面预镀铜材；步骤三、形成凸点在完成预镀铜材的金属载板表面形成所需的凸点；步骤四、填充绝缘材料在凸点外围填充绝缘材料，并通过减薄工艺使凸点露出绝缘材料；步骤五、贴装芯片通过倒装使芯片贴装于露出的凸点上，并使芯片管脚与凸点相连接；步骤六、填充绝缘材料在芯片外围填充绝缘材料，对芯片形成保护；步骤七、去除金属载板步骤八、形成金属导电层在去除金属载板的绝缘材料表面形成一层金属导电层；步骤九、电镀金属线路层在金属导电层表面通过电镀形成金属线路层；步骤十、电镀引脚线路层在金属线路层表面通过电镀形成引脚线路层；步骤十一、快速蚀刻将金属线路层和引脚线路层外的金属导电层去除；步骤十二、填充绝缘材料在金属线路层与引脚线路层外围填充绝缘材料，并通过减薄工艺使引脚线路层露出绝缘材料；步骤十三、植球在引脚线路层露出的植球区域植入金属球；步骤十四、切割将植好金属球的半成品切割成单颗产品；所述绝缘材料为单一的绝缘材料。