[发明专利]鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610863516.8 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107039524B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 赖政杰;陈光鑫;吴永俊;叶沐诗 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种FinFET器件结构及其形成方法。FinFET器件结构包括形成在衬底上方的氧化层和形成在氧化层上方的鳍结构。鳍结构由半导体层制成，并且半导体层包括第一部分、第二部分和第三部分。第二部分在第一部分和第三部分之间。第一部分、第二部分和第三部分构造了U型沟槽，并且第二部分位于U型沟槽下方。FinFET器件结构还包括形成在U型沟槽中的栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 finfet 器件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，包括：/n氧化层，形成在衬底上方；/n鳍结构，形成在所述氧化层上方，其中，所述鳍结构由半导体层制成，并且所述半导体层包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第二部分位于所述第一部分和所述第三部分之间，并且其中，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分构造U型沟槽，并且所述第二部分位于所述U型沟槽下方；以及/n栅极结构，形成在所述U型沟槽的至少一部分中；以及/n层间介电结构，填充在所述U型沟槽的至少另一部分中，所述层间介电结构在所述U型沟槽的所述至少另一部分中接合所述U型沟槽的底面。/n
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