[发明专利]半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 201610738883.5 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN107785262B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;唐龙娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底，包括衬底以及位于衬底上分立的鳍部；形成横跨鳍部且覆盖部分鳍部顶部表面和侧壁表面的栅极结构；去除栅极结构两侧部分厚度的鳍部，剩余鳍部为子鳍部；子鳍部顶部低于鳍部顶部，使被栅极结构覆盖的鳍部具有暴露在外的侧壁表面，所述侧壁表面为鳍部侧壁；在鳍部侧壁上形成保护层；形成保护层后对子鳍部进行氧化处理，将部分厚度子鳍部转化成氧化层；在氧化层上形成应力层；在应力层内形成源漏掺杂区。本发明在保护层的作用下，避免在鳍部侧壁上形成氧化层。因此无需采用额外工艺去除鳍部侧壁上的氧化层，从而可以避免所述额外工艺对子鳍部上的氧化层甚至器件沟道区产生刻蚀损伤等不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及位于衬底上分立的鳍部；形成横跨所述鳍部且覆盖部分鳍部顶部表面和侧壁表面的栅极结构；去除所述栅极结构两侧部分厚度的鳍部，剩余鳍部为子鳍部；所述子鳍部顶部低于所述鳍部顶部，使被所述栅极结构覆盖的鳍部具有暴露在外的侧壁表面，所述侧壁表面为鳍部侧壁；在所述鳍部侧壁上形成保护层；形成所述保护层后，对所述栅极结构两侧的子鳍部进行氧化处理，将部分厚度的子鳍部转化成氧化层；完成所述氧化处理后，在所述栅极结构两侧的氧化层上形成应力层；在所述应力层内形成源漏掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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