[发明专利]一种压接型功率半导体器件的测试装置有效
申请号: | 201610672233.5 | 申请日: | 2016-08-16 |
公开(公告)号: | CN107728032B | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 窦泽春;李继鲁;刘国友;吴煜东;忻兰苑;肖红秀;彭勇殿;陈彦;万超群;李义 | 申请(专利权)人: | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R1/04 |
代理公司: | 11611 北京聿华联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 朱绘;张文娟 |
地址: | 412001 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 一种压接型功率半导体器件的测试装置,包括:测试台控制器;测试底座,测试底座中分布有若干用于放置被测压接型功率半导体器件的测试工位,各个测试工位中形成有用于与被测压接型功率半导体器件的第一被测端子连接的第一测试电极,其中,各个测试工位的第一测试电极与测试台控制器连接;测试顶盖,其与测试台控制器连接,用于在测试台控制器向被测压接型功率半导体器件施加指定压力,测试顶盖中分布有若干用于与被测压接型功率半导体器件的第二被测端子连接的第二测试电极,各个第二测试电极与测试台控制器连接。该装置解决了传统压接型IGBT/FRD子单元无法测试或者测试难度非常大的问题,其可以实现多个子单元同时独立测试与结果记录。 | ||
搜索关键词: | 一种 压接型 功率 半导体器件 测试 装置 | ||
【主权项】:
1.一种压接型功率半导体器件的测试装置,其特征在于,包括:/n测试台控制器;/n测试底座,所述测试底座中分布有若干用于放置被测压接型功率半导体器件的测试工位,各个测试工位中形成有用于与所述被测压接型功率半导体器件的第一被测端子连接的第一测试电极,其中,各个测试工位的第一测试电极与所述测试台控制器连接;/n测试顶盖,其与所述测试台控制器连接,用于在所述测试台控制器的控制下向所述被测压接型功率半导体器件施加指定压力,所述测试顶盖中分布有若干用于与所述被测压接型功率半导体器件的第二被测端子连接的第二测试电极以及用于与所述被测压接型功率半导体的第三被测端子连接的第三测试电极,其中,各个第二测试电极和第三测试电极分别与各个测试工位相对应,各个第二测试电极和第三测试电极与所述测试台控制器连接。/n
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