[发明专利]一种压接型功率半导体器件的测试装置有效

专利信息
申请号: 201610672233.5 申请日: 2016-08-16
公开(公告)号: CN107728032B 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 窦泽春;李继鲁;刘国友;吴煜东;忻兰苑;肖红秀;彭勇殿;陈彦;万超群;李义 申请(专利权)人: 株洲中车时代电气股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R1/04
代理公司: 11611 北京聿华联合知识产权代理有限公司 代理人: 朱绘;张文娟
地址: 412001 湖*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种压接型功率半导体器件的测试装置,包括:测试台控制器;测试底座,测试底座中分布有若干用于放置被测压接型功率半导体器件的测试工位,各个测试工位中形成有用于与被测压接型功率半导体器件的第一被测端子连接的第一测试电极,其中,各个测试工位的第一测试电极与测试台控制器连接;测试顶盖,其与测试台控制器连接,用于在测试台控制器向被测压接型功率半导体器件施加指定压力,测试顶盖中分布有若干用于与被测压接型功率半导体器件的第二被测端子连接的第二测试电极,各个第二测试电极与测试台控制器连接。该装置解决了传统压接型IGBT/FRD子单元无法测试或者测试难度非常大的问题,其可以实现多个子单元同时独立测试与结果记录。
搜索关键词: 一种 压接型 功率 半导体器件 测试 装置
【主权项】:
1.一种压接型功率半导体器件的测试装置,其特征在于,包括:/n测试台控制器;/n测试底座,所述测试底座中分布有若干用于放置被测压接型功率半导体器件的测试工位,各个测试工位中形成有用于与所述被测压接型功率半导体器件的第一被测端子连接的第一测试电极,其中,各个测试工位的第一测试电极与所述测试台控制器连接;/n测试顶盖,其与所述测试台控制器连接,用于在所述测试台控制器的控制下向所述被测压接型功率半导体器件施加指定压力,所述测试顶盖中分布有若干用于与所述被测压接型功率半导体器件的第二被测端子连接的第二测试电极以及用于与所述被测压接型功率半导体的第三被测端子连接的第三测试电极,其中,各个第二测试电极和第三测试电极分别与各个测试工位相对应,各个第二测试电极和第三测试电极与所述测试台控制器连接。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲中车时代电气股份有限公司,未经株洲中车时代电气股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610672233.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top