[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成介电层。在第一层间介电层中形成第一图案和第二图案。第一图案的宽度大于第二图案的宽度。在第一图案和第二图案中形成第一金属层。在第一图案中形成第二金属层。对第一和第二金属层实施平坦化操作以便形成通过第一图案的第一金属布线和通过第二图案的第二金属布线。第一金属层的金属材料不同于第二金属层的金属材料。第一金属布线包括第一和第二金属层并且第二金属布线包括第一金属层但不包括第二金属层。本发明的实施例还涉及半导体器件。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成介电层；在所述介电层中形成第一图案和第二图案，所述第一图案的宽度大于所述第二图案的宽度；在所述第一图案和所述第二图案中形成第一金属层；在所述第一图案中形成第二金属层；以及对所述第一金属层和所述第二金属层实施平坦化操作以便形成通过所述第一图案的第一金属布线和通过所述第二图案的第二金属布线，其中：所述第一金属层的金属材料不同于所述第二金属层的金属材料，以及所述第一金属布线包括所述第一金属层和所述第二金属层，且所述第二金属布线包括所述第一金属层但不包括所述第二金属层；其中，所述平坦化操作包括：第一平坦化操作，其中，所述第二金属层的蚀刻速率高于所述第一金属层的蚀刻速率；以及在所述第一平坦化操作之后实施的第二平坦化操作，其中，所述第二金属层的蚀刻速率小于所述第一金属层的蚀刻速率。