[发明专利]制造半导体结构的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 201610609447.8 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106409674A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | P.伊西格勒;A.迈泽;W.维尔纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 申屠伟进,杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及制造半导体结构的方法和半导体器件。一种在半导体本体（304）中制造结构的方法包括在所述半导体本体（304）的第一表面（307）之上形成第一掩模（320）。所述第一掩模（320）包括围绕所述第一掩模（320）的第一部分（3201）的开口（322），由此将所述第一掩模（320）的第一部分（3201）和第二部分（3202）分开。穿过在所述第一表面（307）处的所述开口（322）处理所述半导体本体（304）。通过去除所述第一部分（3201）中的所述第一掩模（320）的至少一部分同时保持所述第二部分（3202）中的所述第一掩模（320）来增大所述开口（322）。穿过在所述第一表面（307）处的所述开口（322）进一步处理所述半导体本体（304）。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 结构 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种在半导体本体（304）中制造结构的方法，包括：在所述半导体本体（304）的第一表面（307）之上形成第一掩模（320），所述第一掩模（320）包括围绕所述第一掩模（320）的第一部分（3201）的开口（322），由此将所述第一掩模（320）的第一部分（3201）和第二部分（3202）分开；穿过在所述第一表面（307）处的所述开口（322）处理所述半导体本体（304）；通过去除所述第一部分（3201）中的所述第一掩模（320）的至少一部分同时保持所述第二部分（3202）中的所述第一掩模（320）来增大所述开口（322）；以及穿过在所述第一表面（307）处的所述开口（322）进一步处理所述半导体本体（304）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
