[发明专利]一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201610542757.2 | 申请日： | 2016-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN106129113B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 孙博韬;王立新;单尼娜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：衬底、P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；其中，栅极包括：第一栅极和第二栅极，第二栅极位于第一栅极和衬底之间；第一栅极与第二栅极之间的栅氧化层厚度为第一厚度；第二栅极与衬底之间的栅氧化层厚度为第二厚度；其中，所述第二栅极通过开关与刷新结构连接，以能将所述第二栅极刷新至初始电位。本发明提供的晶体管，用以解决现有技术中的VDMOS需要较厚的栅氧化层厚度来满足电压要求，但较厚的栅氧化层会加速器件受到辐照时阈值电压的漂移，导致的易出现阈值电压漂移失效的技术问题。实现了减缓阈值电压漂移，提高可靠性的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：衬底、P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；其中，所述栅极包括：第一栅极和第二栅极，所述第二栅极位于所述第一栅极和所述衬底之间；所述第一栅极与所述第二栅极之间的栅氧化层厚度为第一厚度；所述第二栅极与所述衬底之间的栅氧化层厚度为第二厚度；所述第二厚度小于所述第一厚度；其中，所述第二栅极通过开关与刷新结构连接，以能将所述第二栅极刷新至初始电位。
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