[发明专利]半导体结构的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201610510324.9 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105957792A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 聂钰节;唐在峰;吴智勇;任昱;吕煜坤 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/28;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的刻蚀方法，用于在刻蚀设备维护后对半导体衬底上的半导体结构进行刻蚀，包括：在所述刻蚀设备的刻蚀腔体内壁沉积聚合物层；基于所述聚合物层的厚度，设置刻蚀设备的工艺参数对所述半导体结构进行刻蚀工艺。本发明能够避免因为刻蚀腔体维护保养时更换部件或者清洗部件引起半导体结构的关键特征尺寸的偏移问题，提高工艺稳定性以及产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的刻蚀方法，用于在刻蚀设备维护后对半导体衬底上的半导体结构进行刻蚀，其特征在于，包括：在所述刻蚀设备的刻蚀腔体内壁沉积聚合物层；基于所述聚合物层的厚度，设置刻蚀设备的工艺参数对所述半导体结构进行刻蚀工艺。
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