[发明专利]LDMOS晶体管及其形成方法、以及ESD器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201610365140.8 | 申请日： | 2016-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107437563B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 李勇;卫承青 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种LDMOS晶体管及其形成方法、以及ESD器件及其形成方法，其中LDMOS晶体管包括：基底；第一阱区，位于基底中，第一阱区掺杂有第一阱离子；第二阱区，位于基底中，所述第二阱区位于第一阱区侧部，第二阱区掺杂有第二阱离子，所述第二阱区包括第一区域，所述第一区域与第一阱区邻接；第一离子掺杂区，位于第一阱区和第一区域内，第一离子掺杂区中掺杂有第一离子，第一离子的类型与第一阱离子的类型相同且与第二阱离子的类型相反；栅极结构，位于部分第一阱区和至少部分第一区域上。由于LDMOS晶体管具有第一离子掺杂区，能够在调节LDMOS晶体管的阈值电压的同时改善LDMOS晶体管的热载流子效应，从而提高了LDMOS晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 及其 形成 方法 以及 esd 器件 | ||
【主权项】：
一种LDMOS晶体管，其特征在于，包括：基底；第一阱区，位于基底中，第一阱区掺杂有第一阱离子；第二阱区，位于基底中，所述第二阱区位于第一阱区侧部，第二阱区掺杂有第二阱离子，所述第二阱区包括第一区域，所述第一区域与第一阱区邻接；第一离子掺杂区，位于第一阱区和第一区域内，第一离子掺杂区中掺杂有第一离子，第一离子的类型与第一阱离子的类型相同且与第二阱离子的类型相反；栅极结构，位于部分第一阱区和至少部分第一区域上。
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