[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610357336.2 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107437582B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 周耀辉;伏广才 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有层间介质层，在层间介质层中形成有通孔；形成完全填充所述通孔的底部电极材料层；沉积相变材料层，覆盖底部电极材料层，并对相变材料层进行超快速热处理，使相变材料层达到应力稳定状态；在相变材料层上形成硬掩膜叠层结构后，图形化相变材料层。根据本发明，在光刻、蚀刻相变材料层时，不会造成相变材料层与底部电极材料层之间的剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有层间介质层，在所述层间介质层中形成有通孔；形成完全填充所述通孔的底部电极材料层；沉积相变材料层，覆盖所述底部电极材料层，并对所述相变材料层进行超快速热处理，使所述相变材料层达到应力稳定状态；在所述相变材料层上形成硬掩膜叠层结构后，图形化所述相变材料层。
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