[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610353821.2 | 申请日： | 2012-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN105931948A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 小谷淳二;石黑哲郎;苫米地秀一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/32;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括：衬底；布置在所述衬底之上的GaN化合物半导体多层结构；以及基于AlN的并且布置在所述衬底与所述GaN化合物半导体多层结构之间的应力消除层，其中所述应力消除层的与所述GaN化合物半导体多层结构接触的表面包括具有深度为5nm或更大并且以2×1010cm‑2或更大的数目密度形成的凹部。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体衬底，包括：衬底；设置在所述衬底之上的氮化物半导体多层结构；以及基于AlN的并且设置在所述衬底与所述氮化物半导体多层结构之间的应力消除层，其中所述应力消除层的与所述氮化物半导体多层结构接触的表面具有深度为5nm或更大并且以2×1010cm‑2或更大的数目密度形成的凹部，其中对所述应力消除层的与所述氮化物半导体多层结构接触的所述表面拟合的粗糙度曲线的偏度是负的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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