[发明专利]改善半导体器件性能的方法有效
| 申请号： | 201610293059.3 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107346730B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种改善半导体器件性能的方法，包括：提供基底，所述基底表面形成有栅极结构；形成覆盖所述栅极结构侧壁表面的第一侧墙；在所述第一侧墙两侧的基底内形成源漏掺杂区；在形成所述源漏掺杂区之后，刻蚀去除所述第一侧墙，暴露出栅极结构侧壁表面；在所述暴露出的栅极结构侧壁表面形成第二侧墙，所述第二侧墙的材料的相对介电常数小于第一侧墙的材料的相对介电常数；形成覆盖所述源漏掺杂区以及第二侧墙的层间介质层。本发明位于栅极结构侧壁表面的第二侧墙的材料具有低k，且避免了形成源漏掺杂区的工艺对第二侧墙造成损伤，使得第二侧墙的材料性能稳定，从而形成的半导体器件的运行速率。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 半导体器件 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善半导体器件性能的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有栅极结构；形成覆盖所述栅极结构侧壁表面的第一侧墙，所述第一侧墙包括偏移侧墙以及位于偏移侧墙侧壁表面的掩膜侧墙；在所述第一侧墙两侧的基底内形成源漏掺杂区；在形成所述源漏掺杂区之后，刻蚀去除所述第一侧墙，暴露出栅极结构侧壁表面；在所述暴露出的栅极结构侧壁表面形成第二侧墙，所述第二侧墙的材料的相对介电常数小于第一侧墙的材料的相对介电常数；形成覆盖所述源漏掺杂区以及第二侧墙的层间介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
