[发明专利]一种功率半导体器件结到壳热阻测量方法及测量夹具

摘要

本发明提供一种功率半导体器件结到壳热阻测量方法及测量夹具，包括：绘制器件电学参数值结压降V_ce与结温T_j的关系曲线；绘制器件壳表面与散热器间涂有液态金属时的瞬态热阻抗曲线Z_{th‑jc(direct)}(t)；绘制器件壳表面与散热基板间添加金属时的瞬态热阻抗曲线Z_{th‑jc(metal)}(t)；绘制瞬态热阻抗分离点曲线；确定器件结壳热阻，测量方法所用的夹具包括有基板、立柱、压力施加装置和压力均布装置。本发明提供的技术方案消除了因热电偶带来的所有测量误差，配套的测量夹具也相对比较简单，提高了测量方便性和测量结果的准确性。

主权项

一种功率半导体器件结到壳热阻测量方法，其特征在于，所述测量方法包括以下步骤：(1)绘制器件电学参数结压降V_ce与结温T_j的关系曲线；(2)绘制器件壳表面与散热基板间涂有液态金属时的瞬态热阻抗曲线Z_{th‑jc(direct)}(t)；(3)绘制器件壳表面与散热基板间添加金属层时的瞬态热阻抗曲线Z_{th‑jc(metal)}(t)；(4)绘制瞬态热阻抗分离点曲线；(5)确定器件结壳热阻。