[发明专利]一种半导体器件及其制备方法和电子装置有效
| 申请号： | 201610255203.4 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN107305899B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王伟;郑超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法和电子装置。所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆上形成有若干相互间隔的图像传感器器件；在所述晶圆和所述图像传感器器件的上方隔离地形成涂覆支撑结构，以在所述涂覆支撑结构与所述晶圆之间形成隔离空间，并且所述涂覆支撑结构中形成有孔结构；在所述涂覆支撑结构上涂覆干燥固化胶并填充所述孔结构；在所述孔结构的上方通过空气喷枪将所述孔结构中的所述干燥固化胶喷射至所述晶圆上，以形成环绕所述图像传感器器件的保护环。所述方法避免了所述涂覆支撑结构(例如金属滤网)与所述晶圆和所述图形传感器器件直接接触，避免了工艺过程造成晶圆表面缺陷的问题，使CMOS图像传感器的性能和良率进一步提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供晶圆，在所述晶圆上形成有若干相互间隔的图像传感器器件；/n在所述晶圆和所述图像传感器器件的上方隔离地形成涂覆支撑结构，以在所述涂覆支撑结构与所述晶圆之间形成隔离空间，并且所述涂覆支撑结构中形成有孔结构；/n在所述涂覆支撑结构上涂覆干燥固化胶并填充所述孔结构；/n在所述孔结构的上方通过空气喷枪将所述孔结构中的所述干燥固化胶喷射至所述晶圆上，以形成环绕所述图像传感器器件的保护环。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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