[发明专利]半导体封装结构及其制作方法在审
申请号: | 201610185915.3 | 申请日: | 2016-03-29 |
公开(公告)号: | CN106816389A | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 陈宪章 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 马雯雯,臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体封装结构及其制作方法,其包括以下步骤。提供封装基板。封装基板包括介电层、连接介电层的第一金属层以及连接第一金属层的第二金属层。第一金属层位于介电层与第二金属层之间。图案化第二金属层,以形成线路层。形成第一封装胶体于线路层上,并暴露出部分线路层。移除介电层与第一金属层。配置芯片于第一封装胶体上,并电性连接于被第一封装胶体所暴露出的线路层。形成第二封装胶体于第一封装胶体上,并包覆芯片。本发明提供的半导体封装结构的制作方法制作所得的半导体封装结构不具有核心层,因此半导体封装结构能具有较薄的厚度,以符合微型化的发展需求。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种半导体封装结构的制作方法,其特征在于,包括:提供封装基板,所述封装基板包括介电层、连接所述介电层的第一金属层以及连接所述第一金属层的第二金属层,其中所述第一金属层位于所述介电层与所述第二金属层之间;图案化所述第二金属层,以形成线路层;形成第一封装胶体于所述线路层上,并使所述第一封装胶体暴露出部分所述线路层;移除所述介电层与所述第一金属层;配置芯片于所述第一封装胶体上,并使所述芯片电性连接于被所述第一封装胶体所暴露出的所述线路层;以及形成第二封装胶体于所述第一封装胶体上,并使所述第二封装胶体包覆所述芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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