[发明专利]增强型氮化镓晶体管的制作方法

摘要

本发明实施例提供一种增强型氮化镓晶体管的制作方法。该方法包括在硅衬底的表面上依次生长磷掺杂的GaN介质层、氮化铝镓AlGaN介质层和氮化硅Si3N4介质层；对Si3N4介质层进行刻蚀；在露出的AlGaN介质层和剩余的Si3N4介质层上表面沉积金属层；沿着露出的Si3N4介质层的表面的预定区域向下进行干法刻蚀；在栅极接触孔中沉积SiO2介质层作为栅介质。本发明实施例在硅衬底的表面上磷掺杂的GaN介质层，减小了增强型氮化镓晶体管的表面电场，提高了耐压，另外，增强型氮化镓晶体管的栅极掺杂有磷，会有电子和空穴的复合，使得导通电阻降低，实现了氮化镓晶体管的导通电阻较小而耐压较大的工艺要求。

主权项

一种增强型氮化镓晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底的表面上依次生长磷掺杂的GaN介质层、氮化铝镓AlGaN介质层和氮化硅Si3N4介质层；对所述Si3N4介质层的第一区域和第二区域进行刻蚀，以露出所述第一区域和所述第二区域分别对应的AlGaN介质层；在露出的所述AlGaN介质层和剩余的所述Si3N4介质层上表面沉积金属层；对所述金属层进行光刻、刻蚀，以露出所述Si3N4介质层并形成欧姆接触电极；沿着露出的所述Si3N4介质层的表面的预定区域向下进行干法刻蚀，直到刻蚀掉部分的所述AlGaN介质层，被刻蚀掉的所述Si3N4介质层和部分所述AlGaN介质层形成栅极接触孔；在所述栅极接触孔中沉积二氧化硅SiO2介质层作为栅介质，且所述栅介质的表面低于所述栅极接触孔的孔口所在表面；在所述SiO2介质层的上表面沉积多晶硅PolySi，并在所述PolySi中掺杂磷形成栅极，以完成所述增强型氮化镓晶体管的制作。