[发明专利]功率器件的CSP封装结构及其制造方法

摘要

本发明公开的功率器件的CSP封装结构，该结构利用管芯与管芯之间的划片道和/或管芯四个角处的区域，用腐蚀或者划片的方法，将这些区域的外延层去掉，露出N+衬底，之后用溅射或蒸发的方法在芯片表面蒸镀一层金属以此将衬底的N+层引到表面，以此来实现CSP封装的要求。本发明的有益效果在于：有效地充分利用芯片的表面积，最大可能地降低功率器件的导通电阻。

主权项

1.用于制备一种功率器件的CSP封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)制备芯片，将芯片位于相邻两个管芯之间的划片道和/或每一管芯的四个角的区域进行刻蚀或划片，刻蚀或划片至N+衬底区域为止；(2)在所述芯片位于每一管芯的正面上淀积一层第一钝化层，并在所述管芯上的第一钝化层位于源极凸点和栅极凸点的位置刻蚀出源极和栅极的电连接区域；(3)在所述芯片的正面所有区域上附着一层金属层；(4)在所述金属层位于每一管芯上的区域上刻蚀制作形成源极、栅极和漏极压焊区域；(5)在所述芯片的正面所有区域上淀积一层第二钝化层，并对所述第二钝化层相对于所述源极、栅极和漏极压焊区域上的位置进行刻蚀，预留出与源极、栅极和漏极相对应的源极、栅极和漏极植球区域；(6)在所述源极、栅极和漏极植球区域进行植球；所述N+层衬底的引入可采用刻蚀或者划片技术；所述第一、第二钝化层采用等离子体增强化学气相沉积法淀积或涂敷聚酰亚胺而成；所述第一、第二纯化层由SiO2、Si3N4、SiON或涂覆PI中的一种制成；所述金属层通过溅射或蒸发的方式附着在所述芯片的正面上；所述金属层为金属铝层或铝合金层。