[发明专利]JFET及其制造方法

摘要

本发明公开了一种JFET，JFET集成于LDMOS中，JFET的栅极区由LDMOS的沟道区加上形成于LDMOS的沟道区的第一侧外部的阱区组成；形成于JFET的漂移区中的埋层和JFET的栅极区呈包围式结构；JFET的源区形成于包围式结构的表面。包围式结构的底部具有埋层缺口，在埋层缺口处形成JFET的沟道区，JFET的沟道区的沟道开启和关闭通过埋层对沟道区进行横向耗尽实现。本发明还公开了一种JFET的制造方法。本发明能实现对沟道的横向夹断、从而能消除衬底掺杂浓度对JFET性能的影响，还能实现夹断电压的精确控制和提高器件的稳定性。

主权项

1.一种JFET，其特征在于：JFET集成于LDMOS中，所述JFET的漂移区和所述LDMOS的漂移区共用且为第一导电类型掺杂，所述JFET的漏区和所述LDMOS的漏区共用且为第一导电类型掺杂；所述LDMOS的沟道区由第二导电类型阱区组成；所述LDMOS的沟道区的第二侧为靠近所述漏区的一侧，所述LDMOS的沟道区的第一侧位于远离所述LDMOS的漏区的一侧；所述JFET的漂移区沿着所述LDMOS的沟道区的第二侧到第一侧的方向上从所述漏区端延伸到所述LDMOS的沟道区的第一侧外部；所述JFET的栅极区由所述LDMOS的沟道区加上形成于所述LDMOS的沟道区的第一侧外部的所述JFET的漂移区中的第二导电类型阱区组成；在所述JFET的漂移区中形成有第二导电类型掺杂的埋层；所述埋层的位于所述LDMOS的沟道区的第二侧到所述漏区之间的部分用于降低所述LDMOS的漂移区的表面电场，提高所述LDMOS的击穿电压并降低导通电阻；所述埋层还包括延伸到所述LDMOS的沟道区的第一侧外部的部分，在所述LDMOS的沟道区的第一侧外部，所述埋层和所述JFET的栅极区呈包围式结构；所述包围式结构中的所述JFET的漂移区表面形成有由第一导电类型重掺杂区组成的所述JFET的源区；所述包围式结构的底部具有埋层缺口，在所述埋层缺口处形成所述JFET的沟道区，所述JFET的沟道区的沟道开启和关闭通过所述埋层对所述沟道区进行横向耗尽实现。