[发明专利]半导体封装结构及其制作方法有效
申请号: | 201610104782.2 | 申请日: | 2016-02-25 |
公开(公告)号: | CN106816388B | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 陈宪章 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体封装结构及其制作方法。其制作方法,包括以下步骤。提供封装基板。封装基板包括介电层、第一金属层以及第二金属层。图案化第二金属层,以形成线路层。形成阻焊层于线路层上,并局部覆盖线路层。配置载板于线路层与阻焊层上。移除介电层与第一金属层,以暴露出线路层。移除位于第一接点与第二接点之间的部分线路层,以暴露出阻焊层上的沟渠。使芯片电性连接于线路层。形成封装胶体于线路层与阻焊层上,并包覆芯片。移除载板。本发明的半导体封装结构的制作方法制作所得的半导体封装结构不具有核心层,因此半导体封装结构的整体厚度得以缩减,进而符合微型化的发展需求。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体封装结构的制作方法,其特征在于,包括:提供封装基板,所述封装基板包括介电层、连接所述介电层的第一金属层以及连接所述第一金属层的第二金属层,其中所述第一金属层位于所述介电层与所述第二金属层之间;图案化所述第二金属层,以形成线路层,所述线路层全面覆盖所述第一金属层相对远离所述介电层的表面,其中所述线路层具有第一接点与第二接点;形成阻焊层于所述线路层上,并使所述阻焊层局部覆盖所述线路层;配置载板于所述线路层与所述阻焊层上;移除所述介电层与所述第一金属层,以暴露出所述线路层;移除位于所述第一接点与所述第二接点之间的部分所述线路层,以暴露出所述阻焊层上的沟渠;使芯片通过所述第一接点与所述第二接点电性连接于所述线路层;形成封装胶体于所述线路层与所述阻焊层上,并使所述封装胶体包覆所述芯片;以及移除所述载板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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