[发明专利]半导体器件的加工有效
申请号: | 201610090280.9 | 申请日: | 2016-02-17 |
公开(公告)号: | CN105895505B | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | H·埃德;M·恩格尔哈特 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/67 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 曾立 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种减薄晶片的方法包括使用磨削工艺来减薄该晶片。经过磨削处理后,该晶片具有厚度上的第一不均匀度。该减薄的晶片使用等离子体工艺来蚀刻。在蚀刻工艺后该晶片具有厚度上的第二不均匀度。该第二不均匀度小于第一不均匀度。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 加工 | ||
【主权项】:
1.一种减薄晶片的方法,所述方法包括:使用磨削工艺来减薄监测晶片,使用第一等离子体工艺在工艺室中来蚀刻被减薄的监测晶片,并确定经过第一等离子体工艺后的监测晶片的厚度上的不均匀度;使用磨削工艺来减薄与所述监测晶片不同的晶片,经过所述磨削处理后的所述晶片具有厚度上的第一不均匀度;以及使用第二等离子体工艺在工艺室中来蚀刻被减薄的晶片,经过所述蚀刻处理后的所述晶片具有厚度上的第二不均匀度,其中,所述第二不均匀度小于所述第一不均匀度,其中,所述蚀刻被减薄的晶片包括:提供布置在工艺室中的第一类型的加热单元的第一多个加热元件,其中,所述第一多个加热元件中的每个均被配置为独立于所述多个加热元件中的其余加热元件来被加热;提供布置在工艺室中的第二类型的加热单元的第二多个加热元件,其中,所述第二多个加热元件被配置为产生径向热分布;将所述晶片放置在所述工艺室中,其中,所述晶片被装配在所述第一类型的加热单元和第二类型的加热单元之上;在放置所述晶片后,加热所述第一多个加热元件中的每个加热元件以产生非径向热分布,并且加热所述第二多个加热元件中的每个加热元件以产生径向热分布,其中,非径向热分布基于监测晶片的厚度上的不均匀度的非径向分布,径向热分布基于监测晶片的厚度上的不均匀度的径向分布,所述加热被配置降低所述第一不均匀度,以与监测晶片相比产生厚度上的不均匀度更小的表面;以及在所述工艺室中处理所述晶片,以与监测晶片相比产生厚度上的不均匀度更小的表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司,未经英飞凌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610090280.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种精炼炉容积式半密闭集烟罩
- 下一篇:高PAR维持率型高压钠灯
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造