[发明专利]用于降低半导体装置中的泄漏电流的结层间电介质有效
| 申请号： | 201610081031.3 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105895668B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | J·P·德索扎;K·E·弗格尔;J·吉姆;D·K·萨达纳;B·A·瓦卡塞尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/861;H01L21/336;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于降低半导体装置中的泄漏电流的结层间电介质。半导体装置包括衬底和在衬底上的包括掺杂的III‑V材料的p掺杂层。在p掺杂层上形成电介质中间层。在电介质中间层上形成n型层，n型层包括高带隙II‑VI材料以形成电子装置。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 半导体 装置 中的 泄漏 电流 结层间 电介质 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：衬底；p掺杂层，所述p掺杂层在所述衬底上，包括掺杂的III‑V材料；电介质中间层，所述电介质中间层形成在所述p掺杂层上，其中所述电介质中间层包括具有小于1.3nm的厚度的极薄层；以及n型层，所述n型层形成在所述电介质中间层上，所述n型层包括高带隙II‑VI材料以形成电子装置。
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