[发明专利]半导体存储器件及其操作方法在审
| 申请号： | 201610080552.7 | 申请日： | 2016-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN106373610A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李熙烈 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 李少丹,许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件可以包括存储单元阵列，包括多个存储单元；外围电路单元，适用于对存储单元阵列执行编程操作和验证操作；以及控制逻辑，适用于在编程操作期间控制外围电路单元来施加编程电压至来自所述多个存储单元的选中存储单元，其中，编程电压随着编程操作被重复而增大阶跃电压，以及其中，阶跃电压随着编程操作被重复而逐渐增大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；外围电路单元，适用于对存储单元阵列执行编程操作和验证操作；以及控制逻辑，适用于在编程操作期间控制外围电路单元来将编程电压施加至所述多个存储单元中的选中存储单元，其中，编程电压随着编程操作被重复而增大阶跃电压，以及其中，阶跃电压随着编程操作被重复而逐渐增大。
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