[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法有效
| 申请号： | 201610060834.0 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105655391B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 李安石 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L27/12;H01L21/28;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法，该TFT阵列基板中的源极(801)与漏极(802)包括自下而上层叠设置的第一钼层(811)、第一铝层(812)、第二铝层(813)、及第二钼层(814)，所述第一铝层(812)与第二铝层(813)的表面均分布有多个毛刺(8120)，且所述第二铝层(813)上的毛刺(8120)的高度大于所述第一铝层(812)上的毛刺(8120)的高度，使得所述源极(801)与漏极(802)的上表面呈现为凹凸不平的粗糙表面，相比于现有技术中的光滑的平整面，该凹凸不平的粗糙表面能够增大漏极(802)与像素电极(1200)的接触面积，进而减小TFT与像素电极的接触阻抗，提升液晶显示面板的性能。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(100)、设于所述衬底基板(100)上的遮光层(200)、覆盖所述遮光层(200)及衬底基板(100)的缓冲层(300)、对应所述遮光层(200)上方设于所述缓冲层(300)上的多晶硅半导体层(400)、覆盖所述多晶硅半导体层(400)及缓冲层(300)的栅极绝缘层(500)、对应所述多晶硅半导体层(400)上方设于所述栅极绝缘层(500)上的栅极(600)、覆盖所述栅极(600)及栅极绝缘层(500)的层间绝缘层(700)、设于所述层间绝缘层(700)上的源极(801)与漏极(802)、覆盖所述源极(801)、漏极(802)、及层间绝缘层(700)的平坦层(900)、设于所述平坦层(900)上的公共电极(1000)、设于所述公共电极(1000)上的保护层(1100)、以及设于所述保护层(1100)上方的像素电极(1200)；所述源极(801)与漏极(802)均包括自下而上层叠设置的第一钼层(811)、第一铝层(812)、第二铝层(813)、及第二钼层(814)，其中，所述第一钼层(811)的表面平滑，所述第一铝层(812)与第二铝层(813)的表面均分布有多个毛刺(8120)，且所述第二铝层(813)上的毛刺(8120)的高度大于所述第一铝层(812)上的毛刺(8120)的高度，所述第二钼层(814)的表面平滑，其包覆于所述第二铝层(813)的毛刺(8120)上，使所述第二铝层(813)的毛刺(8120)的锋利度降低，最终使所述源极(801)与漏极(802)的上表面呈现为凹凸不平的粗糙表面；所述像素电极(1200)通过贯穿所述保护层(1100)、公共电极(1000)、以及平坦层(900)的过孔(901)与所述漏极(802)的上表面相接触。
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