[发明专利]半导体装置

摘要

p型阳极层(2)在有源区域形成于n‑型漂移层(1)的表面。n型缓冲层(7)形成于n‑型漂移层(1)的背面。n型阴极层(8)及p型阴极层(9)相互横向并排地形成于n型缓冲层(7)的背面。n型层(10)在有源区域与终端区域的边界区域，与n型阴极层(8)及p型阴极层(9)横向并排地形成于n型缓冲层(7)的背面。将有源区域的端部作为起点，n型层(10)向有源区域侧伸出的距离是WGR1，满足10μm≤WGR1≤500μm。

主权项

一种半导体装置，其在有源区域的外侧配置有终端区域，该半导体装置的特征在于，具备：n型漂移层，其具有彼此相对的表面和背面；p型阳极层，其在所述有源区域形成于所述n型漂移层的所述表面；n型缓冲层，其形成于所述n型漂移层的所述背面；n型阴极层及p型阴极层，它们相互横向并排地形成于所述n型缓冲层的背面；以及n型层，其在所述有源区域与所述终端区域的边界区域，与所述n型阴极层及所述p型阴极层横向并排地形成于所述n型缓冲层的背面，将所述有源区域的端部作为起点，所述n型层向所述有源区域侧伸出的距离是WGR1，满足10μm≤WGR1≤500μm。