[发明专利]二维层状硫族化合物的合成方法及工艺设备在审
| 申请号： | 201510415416.4 | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN105887045A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 叶昭辉;邱壬官 | 申请（专利权）人： | 炬力奈米科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/452 | 分类号： | C23C16/452;C23C16/30 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种二维层状硫族化合物的合成方法及工艺设备。二维层状硫族化合物的合成方法包括加热基材至反应温度；暴露基材于催化气体、前驱物蒸气及硫族前驱物气体中；利用一气体活化单元来离子化催化气体与硫族前驱物气体，藉以产生能量化粒子，其中能量化粒子与前驱物蒸气反应而形成硫族化合物气体；及降低基材的温度，以使硫族化合物气体沉积于基材上而形成二维层状硫族化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 层状 化合物 合成 方法 工艺设备 | ||
【主权项】：
一种二维层状硫族化合物的合成方法，其特征在于，所述二维层状硫族化合物的合成方法包括：加热一基材至一反应温度；暴露所述基材于一硫族前驱物气体、一前驱物蒸气及一催化气体中；利用一气体活化单元来离子化所述催化气体与所述硫族前驱物气体，以产生能量化粒子，其中所述能量化粒子促使所述前驱物蒸气发生一硫族元素取代反应而形成一硫族化合物气体；以及降低所述基材的温度，以使所述硫族化合物气体沉积于所述基材上而形成所述二维层状硫族化合物。
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- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
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