[发明专利]射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510320704.1 | 申请日： | 2015-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN106298927B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 马万里;闻正锋;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 娄冬梅;黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，其中制作方法包括：在衬底中形成沟槽，在所述沟槽内形成外延层，所述外延层的上表面与所述衬底的上表面齐平，在所述外延层中形成源区，在所述衬底与所述源区的表面形成金属连接层，以使所述衬底和所述源区通过所述金属连接层导通。本发明的射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，通过在衬底中形成沟槽，改变了衬底的结构，从而通过衬底本身将源区引向器件的背面，无需进行长时间的高温推进，保证了外延层的厚度，增大了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：在衬底中形成沟槽；在所述沟槽内形成外延层，所述外延层的上表面与所述衬底的上表面齐平；在所述外延层中形成源区；在所述衬底与所述源区的表面形成金属连接层，以使所述衬底和所述源区通过所述金属连接层导通。
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