[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510274297.5 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN105304617B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 陈思莹;许慈轩;叶朝阳;杨敦年 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，半导体器件包括第一混合接合器件，该第一混合接合器件包括第一器件和面对面地混合接合至第一器件的第二器件。第一器件包括具有第一接合连接件的第一衬底和设置在该衬底表面上的第一接合层。第二混合接合器件背对背地接合至第一混合接合器件。第二混合接合器件包括第三器件和面对面地混合接合至第三器件的第四器件。第三器件包括具有第二接合连接件的第二衬底和设置在该衬底表面上的第二接合层。第三器件的第二接合连接件连接至第一器件的第一接合连接件，并且第三器件的第二接合层连接至第一器件的第一接合层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一混合接合器件，包括第一器件和面对面地混合接合至所述第一器件的第二器件，所述第一器件包括具有多个第一接合连接件的第一衬底和设置在所述第一衬底表面上的第一接合层；以及第二混合接合器件，背对背地接合至所述第一混合接合器件，所述第二混合接合器件包括第三器件和面对面地混合接合至所述第三器件的第四器件，所述第三器件包括具有多个第二接合连接件的第二衬底和设置在所述第二衬底表面上的第二接合层，其中，所述第三器件的所述多个第二接合连接件直接连接至所述第一器件的所述多个第一接合连接件，并且，所述第三器件的所述第二接合层直接连接至所述第一器件的所述第一接合层。
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