[发明专利]半导体装置与其的制造方法在审
| 申请号： | 201510274000.5 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN105304704A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 廖文甲 | 申请（专利权）人： | 台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L21/205 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;赵根喜 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包含基板、沟道层、间隔层、阻挡层与氧化披覆层。沟道层置于基板上。间隔层置于沟道层上。阻挡层置于间隔层上。氧化披覆层置于阻挡层上。氧化披覆层的材质为氮氧化物。本发明的半导体装置中，披覆层的缺陷可减少，因此披覆层的表面为平坦表面，更进一步地，氧化工艺可将披覆层去极化，如此一来，氧化披覆层的缺陷可进一步地被减少，再加上，因氧化披覆层被去极化，因此其表面为平坦表面，成长于氧化披覆层上的其他层的品质也可被改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含：一基板；一沟道层，置于该基板上；一间隔层，置于该沟道层上；一阻挡层，置于该间隔层上；以及一氧化披覆层，置于该阻挡层上，其中该氧化披覆层的材质为氮氧化物。
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