[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201510096580.3 | 申请日： | 2015-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105374865A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 西川幸江;赤池康彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够提高耐压及降低损失的半导体装置。实施方式的半导体装置包括：第二导电型的第二半导体层，选择性地设置在第一导电型的第一半导体层上；第一导电型的第三半导体层，设置在所述第二半导体层上；第二导电型的第四半导体层，选择性地设置在所述第一半导体层上；及控制电极，隔着绝缘膜而与所述第二半导体层及所述第三半导体层相邻，且位于所述第二半导体层与所述第四半导体层之间。而且，还包括半导体区域，所述半导体区域隔着所述绝缘膜而与所述控制电极的底部相邻，并设置于所述第一半导体层中或所述第四半导体层中的至少任一者中，且包含至少一种电惰性的元素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包括：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，选择性地设置在所述第一半导体层上；第一导电型的第三半导体层，设置在所述第二半导体层上；第二导电型的第四半导体层，选择性地设置在所述第一半导体层上；控制电极，从所述第三半导体层侧到达所述第一半导体层中，隔着绝缘膜而与所述第二半导体层及所述第三半导体层相邻，且位于所述第二半导体层与所述第四半导体层之间；及半导体区域，隔着所述绝缘膜而与所述控制电极的底部相邻，并设置于所述第一半导体层中或所述第四半导体层中的至少任一者中，且包含至少一种电惰性的元素。
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