[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201510095433.4 | 申请日： | 2015-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105990151A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有鳍片以及环绕所述鳍片的栅极；步骤S2：在所述栅极的两侧、沿所述鳍片延伸的方向执行口袋区离子注入，以调节所述半导体器件的阈值电压，其中所述口袋区离子注入的方向为沿水平面向下倾斜10-20°。本发明所述方法在形成环绕鳍片的栅极之后、在所述栅极形成间隙壁之前执行口袋区离子注入，其中，所述口袋区离子注入与晶圆缺口(wafer notch)之间扭曲角度为90°即所述口袋区离子注入方向与鳍片延伸方向平行，并且口袋区离子注入方向为沿水平面向下倾斜10-20°，通过横向扩散来掺杂沟道区，以用来调节器件的阈值电压，同时不会影响器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有鳍片以及环绕所述鳍片的栅极；步骤S2：在所述栅极的两侧、沿所述鳍片延伸的方向执行口袋区离子注入，以调节所述半导体器件的阈值电压，其中所述口袋区离子注入的方向为沿水平面向下倾斜10‑20°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
