[发明专利]MOS晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201510056720.4 | 申请日： | 2015-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105990142A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 王文博 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种MOS晶体管及其制作方法。其中，该制作方法包括：在衬底上形成栅极结构，且在栅极结构的两侧侧壁上形成第一侧壁层；对位于栅极结构两侧的衬底进行低能离子注入以及第一次退火处理，形成源漏区；去除第一侧壁层，且以及对位于栅极结构两侧的衬底进一步进行浅掺杂离子注入以及第二次退火处理，以形成LDD区。从而使得源漏注入的热预算不会作用于LDD区，进而在所形成的MOS晶体管中形成有效超浅结；同时，由于形成源漏区的工艺为低能离子注入，从而减少了由于注入离子穿透栅极结构进入导电沟道产生的散点。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：在衬底上形成栅极结构，且在所述栅极结构的两侧侧壁上形成第一侧壁层；对位于所述栅极结构两侧的所述衬底进行低能离子注入以及第一次退火处理，以形成源漏区；以及去除所述第一侧壁层，且对位于所述栅极结构两侧的所述衬底进一步进行浅掺杂离子注入以及第二次退火处理，以形成LDD区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
