[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510029289.4 | 申请日： | 2015-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN105869988B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 马春霞;肖魁 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成所述半导体器件；在所述衬底上形成所述半导体器件之前，在所述衬底表面形成低氧洁净区，所述半导体器件形成在所述低氧洁净区内。根据本发明的制造方法，对形成在普通的直拉单晶硅衬底的半导体器件的栅氧质量可靠性有明显改善，可以不用采购价格较贵的经过特殊处理的硅衬底，节约了半导体制造厂的材料成本。通过增加高温吸杂氧化的步骤，加速硅中氧的外扩散，在衬底表面形成一层低氧洁净区，减少了与氧有关的缺陷。另外，吸杂氧化不需要增加额外的设备，可以采用扩散炉管，与生产线工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成所述半导体器件；其特征在于：在所述衬底上形成所述半导体器件之前，去除所述衬底表面的自然氧化层，通过对所述衬底进行吸杂氧化工艺，加速衬底中氧的外扩散，以在所述衬底表面形成低氧洁净区，减少了衬底表面与氧有关的缺陷，所述吸杂氧化工艺包括在所述衬底表面形成吸杂氧化层以及去除所述吸杂氧化层的步骤，所述半导体器件形成在所述低氧洁净区内，其中，采用扩散炉管进行所述吸杂氧化工艺，所述吸杂氧化工艺的反应气体包括氧气，所述吸杂氧化工艺的温度范围为900～1150℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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