[发明专利]负基准电压产生电路及负基准电压产生系统有效
| 申请号： | 201510024620.3 | 申请日： | 2015-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN105280233B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 前田辉彰;伊藤伸彦 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种负基准电压产生电路及负基准电压产生系统。该负基准电压产生电路，包括：箝位型基准电压电路及差动放大器。箝位型基准电压电路连接于比接地电压或该接地电压更低的第一负电压的节点与比该第一负电压更低的预定的第二负电压的节点之间。箝位型基准电压电路是由第一电路与第二电路并联而成。差动放大器，将第一电路内的一节点电压与第二电路内的一节点电压之间的电压差放大，输出负基准电压。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 电压 产生 电路 系统 | ||
【主权项】：
1.一种负基准电压产生电路，包括：一箝位型基准电压电路，连接于第一节点与第二节点之间，该第一节点的电压是接地电压，该第二节点的电压是比该第一节点更低的预定的负电压，该箝位型基准电压电路是由一第一电路与一第二电路并联而成，其中该第一电路是藉由一第一阻抗、彼此并联连接的多个第一PMOS晶体管、一第二阻抗串联而成，该第二电路是藉由一第二PMOS晶体管与一第三阻抗串联而成，该第一阻抗及该第二PMOS晶体管的源极连接至该第一节点且该第二阻抗及该第三阻抗连接该第二节点；以及一差动放大器，具有一输出端子连接于该多个第一PMOS晶体管的栅极以及该第二PMOS晶体管的栅极，该差动放大器将该多个第一PMOS晶体管的漏极与该第二阻抗之间的节点电压与该第二PMOS晶体管的漏极与该第三阻抗之间的节点电压之间的电压差放大，输出预定的负基准电压。
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