[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201480026440.2 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN105190900B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 川尻智司;小川嘉寿子 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明具有第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的第2半导体区域，其配置于第1半导体区域的上方；第1导电型的第3半导体区域，其配置于第2半导体区域的上方；第2导电型的第4半导体区域，其配置于第3半导体区域的上方；绝缘膜，其配置于槽的内壁上，该槽从第4半导体区域的上表面起延伸并贯通第4半导体区域和第3半导体区域而到达第2半导体区域；控制电极，其配置在槽的侧面的绝缘膜上，并与第3半导体区域相对；第1主电极，其与第1半导体区域电连接；第2主电极，其与第4半导体区域电连接；以及底面电极，其配置在槽的底面的绝缘膜的上方，并且该底面电极被配置为与控制电极分离，在俯视时，槽在延伸方向上的长度比槽的宽度大，并且，槽的宽度比彼此相邻的所述槽的间隔宽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的第2半导体区域，其配置于所述第1半导体区域的上方；第1导电型的第3半导体区域，其配置于所述第2半导体区域的上方；第2导电型的第4半导体区域，其配置于所述第3半导体区域的上方；绝缘膜，其配置于槽的内壁上，所述槽从所述第4半导体区域的上表面起延伸并贯通所述第4半导体区域和所述第3半导体区域而到达所述第2半导体区域；控制电极，其在所述槽的侧面被配置于所述绝缘膜上，并与所述第3半导体区域相对；第1主电极，其与所述第1半导体区域电连接；第2主电极，其与所述第4半导体区域电连接；以及底面电极，其在所述槽的底面被配置于所述绝缘膜的上方，并且所述底面电极被配置为与所述控制电极分离，在俯视时，所述槽的延伸方向上的长度比所述槽的宽度大，并且，所述槽的宽度比彼此相邻的所述槽的间隔宽，所述底面电极具有主体部和连接部，所述主体部配置于所述槽的底面，所述连接部将该主体部与所述第2主电极电连接，所述连接部与所述主体部的延伸方向上的端部侧相连接，并且所述连接部被配置于所述控制电极的第1控制电极和第2控制电极彼此相对的区域的端部侧或该区域的外侧。
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