[发明专利]具有高电压输入能力的单端比较器电路有效
| 申请号： | 201480004544.3 | 申请日： | 2014-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN104919703B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | J·迪范德佛;Y·宋 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/3565 | 分类号： | H03K3/3565;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 唐杰敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了单端比较器。该比较器可以用能够以输入端处的高电压信号来操作的低电压半导体器件来实现。该单端比较器可被集成在较大电路中以接收和检测在输入端上在比该电路的其余部分所支持的电压电平高的电压电平提供的信息，并且传递收到信号中的信息以供该电路的其余部分使用。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电压 输入 能力 比较 电路 | ||
【主权项】：
一种比较器电路，包括：输入节点，配置成接收输入电压范围内的输入电压，所述输入电压范围包括第一范围和第二范围；电压受限的输出节点；第一半导体器件，配置成在所述输入节点处的输入电压落在所述输入电压范围的所述第一范围内时将所述输入节点与所述电压受限的输出节点耦合；第二半导体器件，配置成在所述输入节点处的所述输入电压落在所述输入电压范围的所述第二范围内时将所述电压受限的输出节点耦合至包括电源电压电平的电源电压源，其中所述输入电压范围大于所述第一或第二半导体器件任一者的工作范围，并且其中所述输入电压范围大于所述电源电压电平；以及耦合至所述电压受限的输出节点的单端电压检测电路，其中所述单端电压检测电路包括迟滞生成电路系统以降低所述比较器电路的噪声灵敏度。
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